トレンチ構造MOSFETは低雑音なのか？
ヘッドホンアンプの初段差動増幅に用いていた２N7002DWを
たまたま見つけたトレンチ構造（溝掘りチャネル）のNexperia製NX6008NBKSに換えた処
残留雑音（A補正）を30μVから15μVに低下できました。
ここまで低雑音になるとJFETに遜色ありません。
２N7002DWは旧来通りのプレーナ構造でSi表面の横方向にチャネルが形成されます。
NX6008NBKSはトレンチ構造でSi内に溝を掘り、溝に添って縦方向にチャネルが形成されます。
従来MOSFETの高雑音はSi界面にチャネルがある為と言われていますので、
Si内部にチャネルが形成されるトレンチ構造MOSFETは低雑音になるのでしょうか？
NX6008NBKSのデーターシート
https://www.nexperia.com/products/mosfets/small-signal-mosfets/NX6008NBKS.html
ゲルマニュームの時代には「アロイは音が悪く、メサは音が良い」なんて言われてましたが、
構造によって特性が違うのは、シリコンになっても同じなのかも知れませんね。
ただバイポーラの場合は「エピタキシャル」とか「プレーナー」なんて誰も気にしないのですが、
ＦＥＴの場合は特性の違いが大きく、「初段はＪＦＥＴの一択」だったので、
そのＦＥＴの入手性が良ければ、皆さんにとっても朗報だと思います。
Mouserの通販で購入しました。
@57円、100個購入なら@25円です。
海外からの通販なので到着に5日程かかりますし、
6000円以下の購入だとUPS国際便の送料がかかってしまいます。
国内ですとマルツオンラインで購入できますが倍くらい高いです。
とはいえ、半導体の新製品は表面実装で米粒みたいに小さいので使い易くはありません。
>米粒みたいに小さいので使い易くはありません。
実物を持ってないので妄想するだけですが、蛇の目基板の６個の穴に
それぞれ錫メッキ線を取り付けて、１センチほど出して五徳のように
接点を並べれば、極小部品の取り付けが楽になるのではと考えています。
私の場合、今はＪＦＥＴの在庫がありますが、いずれ半導体の足は無くなるので、
自作時の対処法を考えておくのも無駄ではないと思います。
