球、石、混合のハイブリットの場合
皆さんそれぞれ得意の方式がある様ですね、
わたくしは、デリケートで微弱な入力信号を受け止めるには真空管を使用します、
入力素子による影響を信号に与えたくないためです、
高入力インピーダンスと似た所もありますが、素子そのものの純度を考えます、
真空中に電極、電極間容量には気を使う方です、
信号レベルが大きくなったところで、最終段の電力増幅部は、一歩譲ってMos-FETを起用する場合もあります。
ハイブリッドの場合、逆の石（FET等）を信号入力、終段が球、の制作例を多く見かけます、
それぞれ、慣れた方式があるのでしょう。
私は初段にJ-FETを使ったアンプをよく作ったりしますが、今は初段に球を使って出力段にV-FETを使ったアンプを製作中です。
以前にここでご紹介したV-FETアンプ↓がすんごく良かったので出力アップのハイブリッド版で追試をしたくなりました。
http://www.aritos-audio-lab.com/2SJ18CIRCLOTRON.pdf
私の製作中のセットも初段に石ですね。複合管の２段だけではゲインが足りないし、
さらにシャーシ上に初段の球を立てる余地もないので、ＦＥＴの出番となりました。
このアンプは既存の改作で、複合管の組み合わせを図のようにしようと思っています。
以前の配線では高域に寄生発振を起こしてしまうので解決策として考えて見ました。
はたして上手く行きますかどうか、結果を見てのお楽しみですね。
そう言えば、おんにょさんのセットでも同様の事を書いているので、
https://65124258.at.webry.info/202209/article_1.html
まあ、考える事は皆さん同じなんですね。
菊地さん
ユニット入れ替え実験に関する記事はこちらです。
https://onnyo01.hatenablog.com/entry/2022/09/21/170000
6BM8族は3極電圧増幅ユニットと5極電力増幅ユニットの間にシールドが設けられ、
それが5極部のカソードに接続されています。カソードに振幅のあるCSPPアンプ
では3極部に影響し、高域にピークが生じたり発振したりしやすくなるらしい。
小生は、SITで低RPのOUTPUT、たとえば橋本の６C33C用、イントラは橋本の６４倍あたりをチョイスして単段シングルアンプをやってみたいです。でもSITってお高いですよね。データー載ってないし、失敗したらたいへんだしでやれてません。
ノルマやってるうちに、お陀仏になりそうだし、PX25、４B20、P250Aは実験済なので、こしらえるだけ。しかし、なかなかはかどりません。
う～ん、残念ながらあまり違いがないようですが、拙の改造アンプの配線は
ほとんど終わっているので、このまま進めていこうと思います。
ところでブログ閉鎖のアナウンスが出てたので、いずれ引っ越すだろうと思っていましたが、
既に引っ越しをされていたのですね。ブラウザーのお気に入りを変更しておきました。
プラン、
【１】6DJ8×６、
【２】6DJ8×４、＋12BH7A×2、
【３】6DJ8×４、＋Mos-FET/SEPP（コンプリ）
半導体が入るとデザインが難しい、放熱器は作るか？ アルミ削り出し、もしくはプレス加工、
図体な大きなものや重量物は家内に見つかると、大目玉、倉庫にはまだ未処分が大量に・・・・
(
No.270 削除出来ない？ 管理人さんよろしくお願いいたします。
本人の希望によりNo.270を削除しました
お世話になりました、レスポンス早いですねえ、感心しました。
管理者の所には投稿のメールが届きますので．． 偶々気が付きました。
出力部分を、球にしろMos-FETにしろ、電圧部分は6DJ8、二段増幅を予定しております、
高ゲインと高カットオフ周波数の両立が必要です、
なお、最初から補正の容量は想定しておりません。（図面にも記入しない）
